IGBT模塊使用中的注意事項介紹

日期：2025-06-02 00:25

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摘要：

IGBT模塊使用中的注意事項：

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。

因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：

在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅動(dòng)端子部分，當必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動(dòng)端子時(shí)，在配線(xiàn)未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應用中有時(shí)雖然保證了柵極驅動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極*大額定電壓，但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì )產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線(xiàn)來(lái)傳送驅動(dòng)信號，以減少寄生電感。在柵極連線(xiàn)中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

此外，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著(zhù)集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

在使用IGBT的場(chǎng)合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì )損壞，為防止此類(lèi)故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為減少接觸熱阻，*好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱**時(shí)將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過(guò)高時(shí)將報警或停止IGBT模塊工作。

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