igbt的結構構成

日期：2025-05-31 12:27

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摘要：

igbt的結構構成
　　左邊所示為一個(gè)N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱(chēng)為源區，附于其上的電極稱(chēng)為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱(chēng)為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱(chēng)為柵極（即門(mén)極G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱(chēng)為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱(chēng)為漏注入區（Drain injector），它是igbt特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區上的電極稱(chēng)為漏極（即集電極C）。

　　igbt的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進(jìn)行電導調制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

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