igbt工作特點(diǎn)

日期：2024-07-30 11:51

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摘要： igbt工作特點(diǎn) 動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性又稱(chēng)開(kāi)關(guān)特性，igbt的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分：一是開(kāi)關(guān)速度，主要指標是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。 IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。igbt處于導通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過(guò)MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：： Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓...

igbt工作特點(diǎn)
動(dòng)態(tài)特性

動(dòng)態(tài)特性又稱(chēng)開(kāi)關(guān)特性，igbt的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分：一是開(kāi)關(guān)速度，主要指標是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。

IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。igbt處于導通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過(guò)MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：

Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh

式中Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。

通態(tài)電流Ids 可用下式表示：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos ——流過(guò)MOSFET 的電流。

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