igbt模塊的特點(diǎn)說(shuō)明

日期：2024-07-30 11:51

瀏覽次數：1438

摘要： IGBT模塊是由IGBT與FWD（續流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn)。在IGBT使用過(guò)程中，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實(shí)現對IGBT導通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。 1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時(shí)，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。 2）當集-射極電壓UCE＜0時(shí)，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。 3）當集-射極電壓UCE＞0時(shí)，分兩種情況： ...

IGBT模塊是由IGBT與FWD（續流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn)。

在IGBT使用過(guò)程中，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實(shí)現對IGBT導通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。

1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時(shí)，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。

2）當集-射極電壓UCE＜0時(shí)，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

3）當集-射極電壓UCE＞0時(shí)，分兩種情況：

若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時(shí)，空穴從P+區注入到N基區進(jìn)行電導調制，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。

本公司還有西門(mén)康igbt、三菱igbt、英飛凌igbt模塊等產(chǎn)品，您可以通過(guò)網(wǎng)頁(yè)撥打本公司的服務(wù)電話(huà)了解更多產(chǎn)品的詳細信息，至善至美的服務(wù)是我們的追求，歡迎新老客戶(hù)放心選購自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠為您服務(wù)！

下一篇： igbt模塊特點(diǎn)原理
上一篇： igbt工作特點(diǎn)

京公網(wǎng)安備 11010502035422號