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IGBT模塊的介紹
日期：2025-06-02 00:24
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摘要：
IGBT模塊非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 一個(gè)N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱(chēng)為源區，附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+ 區稱(chēng)為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱(chēng)為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區(包括P+ 和P 一區)(溝道在該區域形成)，稱(chēng)為亞溝道區( Subchannel region )。而在漏區另一側的P+ 區稱(chēng)為漏注入區( Drain injector )，它是IGBT模塊特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區上的電極稱(chēng)為漏極?！?br> IGBT模塊的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子)，對N 一層進(jìn)行電導調制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。
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