IGBT模塊保管時(shí)的注意事項

日期：2025-06-02 00:26

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摘要：

　　在使用IGBT的場(chǎng)合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì )損壞，為防止此類(lèi)故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應保持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合；在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方；保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物；裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。

　　IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性，使它得到了快速的發(fā)展和普及，已應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能，了解選擇及使用時(shí)的注意事項對實(shí)際中的應用是十分必要的。

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