igbt模塊靜態(tài)特性

日期：2025-06-02 00:30

瀏覽次數：1327

摘要：

igbt模塊靜態(tài)特性

　　IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性。

　　IGBT(igbt模塊) 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線(xiàn)。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無(wú)N+緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區后，反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用范圍。

　　IGBT(igbt模塊) 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線(xiàn)。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th) 時(shí)，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內， Id 與Ugs呈線(xiàn)性關(guān)系。*高柵源電壓受*大漏極電流限制，其*佳值一般取為15V左右。

尊敬的客戶(hù)：

　　本公司還有英飛凌igbt、英飛凌模塊、三菱igbt等產(chǎn)品，您可以通過(guò)網(wǎng)頁(yè)撥打本公司的服務(wù)電話(huà)了解更多產(chǎn)品的詳細信息，至善至美的服務(wù)是我們的追求，歡迎新老客戶(hù)放心選購自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠為您服務(wù)！

下一篇：三菱igbt簡(jiǎn)介
上一篇：三菱igbt模塊的性能特點(diǎn)介紹