三菱igbt模塊的性能特點(diǎn)介紹

日期：2025-06-02 00:25

瀏覽次數：1140

摘要：

三菱igbt模塊的性能特點(diǎn)：

三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術(shù):低飽和壓降Vce(sat), 低開(kāi)關(guān)損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。

ΔT(j-f)性能優(yōu)于歐洲的同類(lèi)溝槽型IGBT模塊

采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過(guò)采用氮化鋁AlN絕緣層實(shí)現優(yōu)良的熱阻特性

成本優(yōu)化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外)

飽和壓降低、短路承受能力強、驅動(dòng)功率小

比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15%

內置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，通過(guò)調整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來(lái)改善溫度循環(huán)能力Δ Tc (焊接層疲勞)，熱阻小

模塊內部寄生電感小，減小柵極電容:柵極驅動(dòng)功率近似于平面型IGBTs

功率循環(huán)能力顯著(zhù)改善，采用新的導線(xiàn)焊接工藝大大提高功率循環(huán)能力ΔTj (導線(xiàn)連接疲勞).

尊敬的客戶(hù)：

　　本公司還有英飛凌igbt、英飛凌模塊、igbt等產(chǎn)品，您可以通過(guò)網(wǎng)頁(yè)撥打本公司的服務(wù)電話(huà)了解更多產(chǎn)品的詳細信息，至善至美的服務(wù)是我們的追求，歡迎新老客戶(hù)放心選購自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠為您服務(wù)！

下一篇： igbt模塊靜態(tài)特性
上一篇： igbt概述