igbt模塊使用中的注意事項

日期：2025-06-02 00:30

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摘要：

在igbt模塊使用過(guò)程中，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實(shí)現對IGBT導通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。

1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時(shí)，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。

2）當集-射極電壓UCE＜0時(shí)，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

3）當集-射極電壓UCE＞0時(shí)，分兩種情況：

若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時(shí)，空穴從P+區注入到N基區進(jìn)行電導調制，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。

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