保管igbt模塊的注意事項

日期：2025-05-31 11:00

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摘要：

IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應該降等使用。

一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應保持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合；在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方；保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物；裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。

IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性，使它得到了快速的發(fā)展和普及，已應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能，了解選擇及使用時(shí)的注意事項對實(shí)際中的應用是十分必要的。

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